フェムト秒レーザー
CARBIDE
産業用フェムト秒レーザー
産業用途と科学用途に対応するコンパクトなYbフェムト秒レーザーです。水冷モデルは120 W、2 mJに達し、最大10 MHzの繰返し周波数でパルス幅を190 fsから20 psまで調整できます。
特長
- IRで最大120 W、UVで最大50 W
- 単発から10 MHzまで
- パルス幅可変：190 fs – 20 ps
- オンデマンドパルスとBiBurst
- 空冷または水冷のレーザーヘッド
仕様
高出力IRレーザー
| モデル | CB3-20W | CB3-40W | CB3-40W | CB3-80W | CB3-80W | CB3-120W |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 出力特性 | ||||||
| 冷却方式 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
| 中心波長 | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm |
| 最大出力 | 20 W | 40 W | 40 W | 80 W | 80 W | 120 W |
| パルス幅 1) | < 250 fs | < 250 fs | < 250 fs | < 250 fs | < 350 fs 2) | < 250 fs |
| パルス幅可変範囲 | 250 fs – 10 ps | 250 fs – 10 ps | 250 fs – 10 ps | 250 fs – 10 ps | 350 fs – 10 ps | 250 fs – 10 ps |
| 最大パルスエネルギー | 0.4 mJ | 0.4 mJ | 0.4 mJ | 0.8 mJ | 2 mJ | 1 mJ |
| 繰返し周波数 | 単発 – 1 MHz | 単発 – 1 MHz（2 MHzは要望に応じて対応） | 単発 – 10 MHz | 単発 – 2 MHz | 単発 – 2 MHz | 単発 – 2 MHz |
| パルス選択 | 単発、オンデマンドパルス、SPPT 3) 、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、SPPT 3) 、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、SPPT 3) 、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、SPPT 3) 、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、SPPT 3) 、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、SPPT 3) 、基本繰返し周波数の任意分周 |
| 偏光 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 |
| ビーム品質、M² | < 1.2 | < 1.2 | < 1.2 | < 1.2 | < 1.2 | < 1.2 |
| ビーム径 4) | 3.9 ± 0.4 mm | 3.9 ± 0.4 mm | 3.9 ± 0.4 mm | 4.2 ± 0.4 mm | 5.1 ± 0.7 mm | 5 ± 0.5 mm |
| ビームポインティング安定性 | < 20 µrad | < 20 µrad | < 20 µrad | < 20 µrad | < 20 µrad | < 20 µrad |
| パルスエネルギー制御 | FEC 5) | FEC 5) | アッテネーター 6) | FEC 5) | FEC 5) | FEC 5) |
| パルスピッカー漏れ | < 0.25% | < 0.25% | < 0.5% | < 0.25% | < 0.25% | < 0.25% |
| パルス間エネルギー安定性、8 h 7) | < 0.5% | < 0.5% | < 0.5% | < 0.5% | < 0.5% | < 0.5% |
| 長期出力安定性、100 h 7) | < 0.3% | < 0.3% | < 0.3% | < 0.3% | < 0.3% | < 0.3% |
| 主なオプション | ||||||
| 発振器出力 8) | < 0.5 W, 120 – 250 fs, 1030 ± 10 nm, ≈ 65 MHz | < 0.5 W, 120 – 250 fs, 1030 ± 10 nm, ≈ 65 MHz | < 0.5 W, 120 – 250 fs, 1030 ± 10 nm, ≈ 65 MHz | < 0.5 W, 120 – 250 fs, 1030 ± 10 nm, ≈ 65 MHz | < 0.5 W, 120 – 250 fs, 1030 ± 10 nm, ≈ 65 MHz | < 0.5 W, 120 – 250 fs, 1030 ± 10 nm, ≈ 65 MHz |
| 高調波発生器 9) | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 |
| 光パラメトリック増幅器 10) | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | n/a |
| BiBurstモード | バースト内バースト機能を備えた可変GHzおよびMHzバースト；BiBurstを参照 | バースト内バースト機能を備えた可変GHzおよびMHzバースト；BiBurstを参照 | バースト内バースト機能を備えた可変GHzおよびMHzバースト；BiBurstを参照 | バースト内バースト機能を備えた可変GHzおよびMHzバースト；BiBurstを参照 | バースト内バースト機能を備えた可変GHzおよびMHzバースト；BiBurstを参照 | バースト内バースト機能を備えた可変GHzおよびMHzバースト；BiBurstを参照 |
| 外形寸法 | ||||||
| レーザーヘッド (L × W × H) | 633 × 350 × 174 mm | 633 × 350 × 174 mm | 633 × 350 × 174 mm | 633 × 350 × 174 mm | 633 × 350 × 174 mm | 633 × 350 × 174 mm |
| チラー (L × W × H) | 585 × 484 × 221 mm | 585 × 484 × 221 mm | 680 × 484 × 307 mm | 680 × 484 × 307 mm | 680 × 484 × 307 mm | 680 × 484 × 307 mm |
| 24 V DC電源 (L × W × H) | 352 × 195 × 75 mm | 352 × 195 × 75 mm | 352 × 195 × 75 mm | 352 × 195 × 75 mm | 352 × 195 × 75 mm | 376 x 449 x 88 mm |
| 環境およびユーティリティ要件 | ||||||
| 動作温度 | 15 – 30 ºC | 15 – 30 ºC | 15 – 30 ºC | 15 – 30 ºC | 15 – 30 ºC | 15 – 30 ºC |
| 相対湿度 | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） |
| レーザー | レーザー | レーザー | レーザー | レーザー | レーザー | レーザー |
| 電源要件 | 100 V AC, 7 A – 240 V AC, 3 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 7 A – 240 V AC, 3 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 12 A – 240 V AC, 5 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 12 A – 240 V AC, 5 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 12 A – 240 V AC, 5 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 15 A – 240 V AC、最大7 A；50 – 60 Hz |
| 定格電力 | 1000 W | 1000 W | 1000 W | 1000 W | 1000 W | 2000 W |
| 消費電力 | 500 W | 500 W | 900 W | 900 W | 900 W | 1500 W |
| チラー | チラー | チラー | チラー | チラー | チラー | チラー |
| 電源要件 | 100 – 230 V AC; 50 – 60 Hz | 100 – 230 V AC; 50 – 60 Hz | 200 – 230 V AC; 50 – 60 Hz | 200 – 230 V AC; 50 – 60 Hz | 200 – 230 V AC; 50 – 60 Hz | 200 – 230 V AC; 50 – 60 Hz |
| 定格電力 | 1400 W | 1400 W | 2000 W | 2000 W | 2000 W | 2000 W |
| 消費電力 | 1000 W | 1000 W | 1300 W | 1300 W | 1300 W | 1800 W |
- ガウシアンパルス形状を仮定しています。
- 顧客の装置が> 50 GW/cm²のパルスピーク強度を許容できる場合、パルス幅を< 250 fsまで短縮できます。
- 同期パルスピッカートリガー（SPPT）モードは、ジッター時間16 nsでパルスゲーティングを行います。
- 最大パルスエネルギー使用時のFW 1/e 2 。
- 高速エネルギー制御（FEC）により、個々のパルスエネルギーを高速かつフルスケールで制御できます；外部アナログ制御入力も使用できます。波長板式可変光アッテネーターの内蔵オプションも用意しています。
- 波長板式可変光アッテネーター（VOA）；外部アナログ制御入力を使用できます。FECは最大2 MHzの繰返し周波数に対応します。
- 安定した環境条件下での値です。正規化二乗平均平方根偏差（NRMSD）で表します。
- 同時使用が可能ですが、科学研究用インターフェースが必要です。
- 内蔵型です。外付け高調波発生器についてはHIROを参照してください。
- 内蔵型です。その他のオプションおよびOPAについては、波長可変光源を参照してください。
高出力UVレーザー
| モデル | CB3-UV-30W | CB3-UV-50W |
|---|---|---|
| 出力特性 | ||
| 冷却方式 | 水冷 | 水冷 |
| 中心波長 | 343 ± 3 nm | 343 ± 3 nm |
| 最大出力 | > 30 W | > 50 W |
| パルス幅 1) | ≈ 500 fs | ≈ 500 fs |
| 最大出力パルスエネルギー 2) | 150 μJ | 150 μJ |
| 繰返し周波数 | 200 – 1000 kHz 3) | 300 – 2000 kHz |
| 偏光 | 直線偏光、垂直；1 : 200 | 直線偏光、垂直；1 : 200 |
| ビーム品質、M² | < 1.3 | < 1.3 |
| ビーム径 4) | 2 – 5 mm | 2 – 5 mm |
| 長期出力安定性、12 h 5) | < 0.5% | < 0.5% |
| 寿命 | 10 000 h | 10 000 h |
| 主なオプション | ||
| オプションの増幅器出力 | 1030 nm, 515 nm | 1030 nm, 515 nm |
| 外形寸法 | ||
| レーザーヘッド (L × W × H) | 801 × 350 × 174 mm | 801 × 350 × 174 mm |
| チラー (L × W × H) | 680 × 484 × 307 mm | 680 × 484 × 307 mm |
| 24 V DC電源 (L × W × H) | 352 × 195 × 75 mm | 376 x 449 x 88 mm |
| 環境およびユーティリティ要件 | ||
| 動作温度 | 15 – 30 ºC | 15 – 30 ºC |
| 相対湿度 | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） |
| レーザー | レーザー | レーザー |
| 電源要件 | 100 V AC, 12 A – 240 V AC, 5 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 15 A – 240 V AC, 7 A; 50 – 60 Hz |
| 定格電力 | 1000 W | 2000 W |
| 消費電力 | 900 W | 1500 W |
| チラー | チラー | チラー |
| 電源要件 | 200 – 230 V AC; 50 – 60 Hz | 200 – 230 V AC; 50 – 60 Hz |
| 定格電力 | 2000 W | 2000 W |
| 消費電力 | 1300 W | 1800 W |
- ガウシアンパルス形状を仮定しています。
- ポンプエネルギーに依存します。
- 低出力時は最大2 MHzの繰返し周波数を利用できます。
- 最大パルスエネルギー使用時のFW 1/e 2 。
- 安定した環境条件下での値です。正規化二乗平均平方根偏差（NRMSD）で表します。
空冷IRレーザー
| モデル | CB5-6W | CB5-5W | CB5-SP |
|---|---|---|---|
| 出力特性 | |||
| 冷却方式 | 空冷 1) | 空冷 1) | 空冷 1) |
| 中心波長 | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm |
| 最大出力 | 6 W | 5 W | 5 W |
| パルス幅 2) | < 290 fs | < 290 fs | < 190 fs |
| パルス幅可変範囲 | 290 fs – 20 ps | 290 fs – 20 ps | 190 fs – 20 ps |
| 最大パルスエネルギー | 100 µJ | 83 µJ | 100 µJ |
| 繰返し周波数 | 単発 – 1 MHz | 単発 – 1 MHz | 単発 – 1 MHz |
| パルス選択 | 単発、オンデマンドパルス、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、基本繰返し周波数の任意分周 | 単発、オンデマンドパルス、基本繰返し周波数の任意分周 |
| 偏光 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 | 直線偏光、垂直；1 : 1000 |
| ビーム品質、M² | < 1.2 | < 1.2 | < 1.2 |
| ビーム径 3) | 2.1 ± 0.4 mm | 2.1 ± 0.4 mm | 2.1 ± 0.4 mm |
| ビームポインティング安定性 | < 20 µrad | < 20 µrad | < 20 µrad |
| パルスエネルギー制御 | アッテネーター 4) | AOM 5) | アッテネーター 4) |
| パルスピッカー漏れ | < 2 % | < 0.1 % | < 2 % |
| パルス間エネルギー安定性、8 h 6) | < 0.5% | < 0.5% | < 0.5% |
| 長期出力安定性、100 h 6) | < 0.5% | < 0.5% | < 0.5% |
| 主なオプション | |||
| 発振器出力 | n/a | n/a | n/a |
| 高調波発生器 7) | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 | 515 nm、343 nm、257 nm、または206 nm；CARBIDE HGを参照 |
| 光パラメトリック増幅器 8) | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 | UV – MIR；I-OPAまたはORPHEUSを参照 |
| BiBurstモード | n/a | n/a | n/a |
| 外形寸法 | |||
| レーザーヘッド (L × W × H) | 633 × 324 × 162 mm | 633 × 324 × 162 mm | 633 × 324 × 162 mm |
| チラー (L × W × H) | 不要 | 不要 | 不要 |
| 24 V DC電源 (L × W × H) | 220 × 95 × 46 mm | 220 × 95 × 46 mm | 220 × 95 × 46 mm |
| 環境およびユーティリティ要件 | |||
| 動作温度 | 17 – 27 °C | 17 – 27 °C | 17 – 27 °C |
| 相対湿度 | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） | < 80%（結露しないこと） |
| 電源要件 | 100 V AC, 3 A – 240 V AC, 1.3 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 3 A – 240 V AC, 1.3 A; 50 – 60 Hz | 100 V AC, 3 A – 240 V AC, 1.3 A; 50 – 60 Hz |
| 定格電力 | 280 W | 280 W | 280 W |
| 消費電力 | 250 W | 250 W | 250 W |
- 水冷版も要望に応じて提供可能です。
- ガウシアンパルス形状を仮定しています。
- 最大パルスエネルギー使用時のFW 1/e 2 。
- 波長板式可変光アッテネーター（VOA）；外部アナログ制御入力を使用できます。
- 高コントラストAOMです。個々のパルスエネルギーを高速かつフルスケールで制御でき、外部アナログ制御入力も使用できます。
- 安定した環境条件下での値です。正規化二乗平均平方根偏差（NRMSD）で表します。
- 内蔵型です。外付け高調波発生器についてはHIROを参照してください。
- 内蔵型です。独立型OPAについては、波長可変光源を参照してください。