PizeNews

Pize — ИИ-ассистент для программирования в области научных вычислений и статистического анализа.

Учётная запись

Источники с перестраиваемой длиной волны

ORPHEUS-NEO

Оптический параметрический усилитель нового поколения

OPA нового поколения с непрерывным мониторингом мощности и встроенной диагностикой для автоматизированной длительной работы в диапазоне от 210 nm до 16 µm.

Основные особенности

  • Непрерывный мониторинг мощности
  • Встроенная диагностика
  • Диапазон 210 nm – 16 µm
  • Автоматизированная длительная работа
  • Конфигурации высокой мощности

Технические характеристики

ORPHEUS-NEO

МодельORPHEUS-NEOORPHEUS-NEO-ONE
Выходные характеристики
Мощность накачкиДо 80 WДо 80 W
Энергия импульса накачки20 – 800 µJ20 – 800 µJ
Частота повторения импульсовДо 2 MHzДо 2 MHz
Диапазон перестройки640 – 1000 nm (сигнальная волна) 1050 – 2600 nm (холостая волна)1400 – 2000 nm (сигнальная волна) 2100 – 4200 nm (холостая волна)
Эффективность преобразования
Энергия импульса накачки 40 – 800 μJ; до 1 MHz> 7% @ 700 nm> 9% @ 1550 nm
Энергия импульса накачки 20 – 40 μJ; до 2 MHz> 3.5% @ 700 nm> 6% @ 1550 nm
Спектральная ширина60 – 220 cm⁻¹ @ 700 – 960 nm50 – 150 cm⁻¹ @ 1450 – 2000 nm
Длительность импульса 1)120 – 400 fs100 – 400 fs
Качество пучка, M²< 1.3 @ 800 nm< 1.3 @ 1550 nm
Диаметр пучка 2)2.1 ± 0.9 mm @ 800 nm2.1 ± 0.9 mm @ 1550 nm
Расходимость пучка (полный угол)< 2 mrad @ 800 nm< 4 mrad @ 1550 nm
Долговременная стабильность мощности, 8 h 3)< 1% @ 800 nm< 1% @ 1550 nm
Стабильность энергии от импульса к импульсу, 1 min 3)< 1% @ 800 nm< 1% @ 1550 nm
Опции расширения диапазона длин волн; эффективность преобразования210 – 320 nm (THS) > 0.4% @ 250 nmне применимо
320 – 500 nm (SHS) и 525 – 640 nm (SHI) > 1.2% @ 350 nm
не применимо640 – 1000 nm и 1050 – 1350 nm > 1% @ 700 nm
2500 – 4200 nm (DFG1) > 3% @ 3000 nm4000 – 16 000 nm (DFG) 4): > 0.3% @ 10 000 nm (при энергии импульса накачки > 40 µJ)
4000 – 16 000 nm (DFG2) 4) > 0.2% @ 10 000 nm
Требования к лазеру накачки
КонфигурацияCARBIDE или PHAROSCARBIDE или PHAROS
Центральная длина волны1030 ± 10 nm1030 ± 10 nm
Максимальная мощность накачки80 W80 W
Максимальная частота повторения импульсов2 MHz2 MHz
Энергия импульса накачки20 – 800 µJ20 – 800 µJ
Длительность импульса накачки180 – 500 fs180 – 500 fs
Требования к условиям эксплуатации и инженерным коммуникациям
Рабочая температура 5)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)
Относительная влажность 5)20 – 70% (без конденсации)20 – 70% (без конденсации)
Требования к электропитанию100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz
Номинальная мощность280 W280 W
Потребляемая мощностьРежим ожидания: 20 W, максимум при перестройке длины волны: 200 WРежим ожидания: 20 W, максимум при перестройке длины волны: 200 W
  1. Длительность выходного импульса зависит от выбранной длины волны и длительности импульса лазера накачки.
  2. FW 1/e 2, измерено на выходе лазера при максимальной энергии импульса.
  3. Выражено как нормированное среднеквадратическое отклонение (NRMSD).
  4. Предустановленное выходное окно ограничивает диапазон перестройки до 12 µm. Окно защищает от пыли и используется для диагностики выходной мощности, но его можно снять для доступа к полному диапазону перестройки.
  5. Характеристики гарантируются при изменении температуры не более чем на ± 1ºC и влажности не более чем на ± 10%.

ORPHEUS-NEO-UP

МодельORPHEUS-NEO-UPORPHEUS-NEO-ONE-UP
Выходные характеристики
КонфигурацияORPHEUSORPHEUS-ONE
Мощность накачкиДо 20 WДо 20 W
Энергия импульса накачки20 – 400 µJ20 – 400 µJ
Частота повторения импульсовДо 1 MHzДо 1 MHz
Диапазон перестройки640 – 1000 nm (сигнальная волна) 1050 – 2600 nm (холостая волна)1450 – 2000 nm (сигнальная волна) 2100 – 4500 nm (холостая волна)
Эффективность преобразования> 7% @ 700 nm> 9% @ 1550 nm
Спектральная ширина120 – 300 cm⁻¹ @ 700 – 2600 nm150 – 300 cm⁻¹ @ 1500 – 1900 nm & 2200 – 3500 nm 1)
Длительность импульса 2)< 110 fs @ 700 – 1000 nm < 120 fs @ 1060 – 2000 nm< 120 fs @ 1500 – 1900 nm
Качество пучка, M²< 1.3 @ 800 nm< 1.3 @ 1550 nm
Диаметр пучка 3)2.1 ± 0.9 mm @ 800 nm2.1 ± 0.9 mm @ 1550 nm
Расходимость пучка (полный угол)< 2 mrad @ 800 nm< 4 mrad @ 1550 nm
Долговременная стабильность мощности, 8 h 4)< 1% @ 800 nm< 1% @ 1550 nm
Стабильность энергии от импульса к импульсу, 1 min 4)< 1% @ 800 nm< 1% @ 1550 nm
Опции расширения диапазона длин волн; эффективность преобразования210 – 320 nm (THS) 0.2% @ 250 nm640 – 1000 nm и 1050 – 1450 nm > 1% @ 700 nm
320 – 500 nm (SHS) и 525 – 640 nm (SHI) 1.2% @ 350 nm
2500 – 4500 nm (DFG1) 3% @ 3000 nm4500 – 14 000 nm (DFG) 5) 0.2% @ 10 000 nm
4500 – 14 000 nm (DFG2) 5) 0.1% @ 10 000 nm
Требования к лазеру накачки
КонфигурацияPHAROS-UPPHAROS-UP
Центральная длина волны1030 ± 10 nm1030 ± 10 nm
Максимальная мощность накачки20 W20 W
Максимальная частота повторения импульсов1 MHz1 MHz
Энергия импульса накачки20 – 400 µJ20 – 400 µJ
Длительность импульса накачки80 – 100 fs80 – 100 fs
Требования к условиям эксплуатации и инженерным коммуникациям
Рабочая температура 6)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)
Относительная влажность 6)20 – 70% (без конденсации)20 – 70% (без конденсации)
Требования к электропитанию100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz
Номинальная мощность280 W280 W
Потребляемая мощностьРежим ожидания: 20 W, максимум при перестройке длины волны: 200 WРежим ожидания: 20 W, максимум при перестройке длины волны: 200 W
  1. Спектральная ширина составляет 150 – 250 cm⁻¹ @ 5000 – 12 000 nm.
  2. Длительность выходного импульса зависит от выбранной длины волны и длительности импульса лазера накачки.
  3. FW 1/e 2, измерено на выходе лазера при максимальной энергии импульса.
  4. Выражено как нормированное среднеквадратическое отклонение (NRMSD).
  5. Предустановленное выходное окно ограничивает диапазон перестройки до 12 µm. Окно защищает от пыли и используется для диагностики выходной мощности, но его можно снять для доступа к полному диапазону перестройки.
  6. Характеристики гарантируются при изменении температуры не более чем на ± 1ºC и влажности не более чем на ± 10%.