तरंगदैर्घ्य-समायोज्य स्रोत
ORPHEUS-NEO
अगली पीढ़ी का OPA
210 nm से 16 µm तक स्वचालित दीर्घकालिक संचालन के लिए सतत शक्ति निगरानी और अंतर्निहित निदान वाला अगली पीढ़ी का OPA।
तकनीकी विशेषताएँ
- सतत शक्ति निगरानी
- एकीकृत निदान
- 210 nm – 16 µm कवरेज
- स्वचालित दीर्घकालिक संचालन
- उच्च-शक्ति विन्यास
विनिर्देश
ORPHEUS-NEO
| मॉडल | ORPHEUS-NEO | ORPHEUS-NEO-ONE |
|---|---|---|
| आउटपुट विनिर्देश | ||
| पंप शक्ति | अधिकतम 80 W | अधिकतम 80 W |
| पंप पल्स ऊर्जा | 20 – 800 µJ | 20 – 800 µJ |
| पुनरावृत्ति दर | अधिकतम 2 MHz | अधिकतम 2 MHz |
| ट्यूनिंग परास | 640 – 1000 nm (सिग्नल) 1050 – 2600 nm (आइडलर) | 1400 – 2000 nm (सिग्नल) 2100 – 4200 nm (आइडलर) |
| रूपांतरण दक्षता | ||
| 40 – 800 μJ पंप; 1 MHz तक | > 7% @ 700 nm | > 9% @ 1550 nm |
| 20 – 40 μJ पंप; 2 MHz तक | > 3.5% @ 700 nm | > 6% @ 1550 nm |
| स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ | 60 – 220 cm⁻¹ @ 700 – 960 nm | 50 – 150 cm⁻¹ @ 1450 – 2000 nm |
| पल्स अवधि 1) | 120 – 400 fs | 100 – 400 fs |
| बीम गुणवत्ता, M² | < 1.3 @ 800 nm | < 1.3 @ 1550 nm |
| बीम व्यास 2) | 2.1 ± 0.9 mm @ 800 nm | 2.1 ± 0.9 mm @ 1550 nm |
| बीम अपसरण (पूर्ण-कोण) | < 2 mrad @ 800 nm | < 4 mrad @ 1550 nm |
| दीर्घकालिक शक्ति स्थिरता, 8 h 3) | < 1% @ 800 nm | < 1% @ 1550 nm |
| पल्स-से-पल्स ऊर्जा स्थिरता, 1 min 3) | < 1% @ 800 nm | < 1% @ 1550 nm |
| तरंगदैर्घ्य विस्तार विकल्प; रूपांतरण दक्षता | 210 – 320 nm (THS) > 0.4% @ 250 nm | n/a |
| 320 – 500 nm (SHS) और 525 – 640 nm (SHI) > 1.2% @ 350 nm | ||
| n/a | 640 – 1000 nm और 1050 – 1350 nm > 1% @ 700 nm | |
| 2500 – 4200 nm (DFG1) > 3% @ 3000 nm | 4000 – 16 000 nm (DFG) 4) > 0.3% @ 10 000 nm (> 40 µJ पंप के लिए) | |
| 4000 – 16 000 nm (DFG2) 4) > 0.2% @ 10 000 nm | ||
| पंप लेज़र आवश्यकताएँ | ||
| विन्यास | CARBIDE या PHAROS | CARBIDE या PHAROS |
| केंद्र तरंगदैर्घ्य | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm |
| अधिकतम पंप शक्ति | 80 W | 80 W |
| अधिकतम पुनरावृत्ति दर | 2 MHz | 2 MHz |
| पंप पल्स ऊर्जा | 20 – 800 µJ | 20 – 800 µJ |
| पंप पल्स अवधि | 180 – 500 fs | 180 – 500 fs |
| परिवेश और उपयोगिता आवश्यकताएँ | ||
| प्रचालन तापमान 5) | 19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित) | 19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित) |
| सापेक्ष आर्द्रता 5) | 20 – 70% (गैर-संघनन) | 20 – 70% (गैर-संघनन) |
| विद्युत आवश्यकताएँ | 100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz | 100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz |
| रेटेड पावर | 280 W | 280 W |
| शक्ति खपत | स्टैंडबाय: 20 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 200 W | स्टैंडबाय: 20 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 200 W |
- आउटपुट पल्स अवधि चयनित तरंगदैर्घ्य और पंप लेज़र की पल्स अवधि पर निर्भर करती है।
- लेज़र आउटपुट पर मापी गई और अधिकतम पल्स ऊर्जा का उपयोग करने वाली FW 1/e 2।
- सामान्यीकृत मूल-माध्य-वर्ग विचलन (NRMSD) के रूप में व्यक्त।
- पहले से लगी आउटपुट विंडो ट्यूनिंग परास को 12 µm तक सीमित करती है। यह धूल से सुरक्षा और आउटपुट शक्ति निदान के लिए है, पर पूर्ण ट्यूनिंग परास तक पहुँचने हेतु इसे हटाया जा सकता है।
- विनिर्देश ± 1ºC के अधिकतम तापमान परिवर्तन और ± 10% के आर्द्रता परिवर्तन के लिए प्रत्याभूत हैं।
ORPHEUS-NEO-UP
| मॉडल | ORPHEUS-NEO-UP | ORPHEUS-NEO-ONE-UP |
|---|---|---|
| आउटपुट विनिर्देश | ||
| विन्यास | ORPHEUS | ORPHEUS-ONE |
| पंप शक्ति | अधिकतम 20 W | अधिकतम 20 W |
| पंप पल्स ऊर्जा | 20 – 400 µJ | 20 – 400 µJ |
| पुनरावृत्ति दर | अधिकतम 1 MHz | अधिकतम 1 MHz |
| ट्यूनिंग परास | 640 – 1000 nm (सिग्नल) 1050 – 2600 nm (आइडलर) | 1450 – 2000 nm (सिग्नल) 2100 – 4500 nm (आइडलर) |
| रूपांतरण दक्षता | > 7% @ 700 nm | > 9% @ 1550 nm |
| स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ | 120 – 300 cm⁻¹ @ 700 – 2600 nm | 150 – 300 cm⁻¹ @ 1500 – 1900 nm & 2200 – 3500 nm 1) |
| पल्स अवधि 2) | < 110 fs @ 700 – 1000 nm < 120 fs @ 1060 – 2000 nm | < 120 fs @ 1500 – 1900 nm |
| बीम गुणवत्ता, M² | < 1.3 @ 800 nm | < 1.3 @ 1550 nm |
| बीम व्यास 3) | 2.1 ± 0.9 mm @ 800 nm | 2.1 ± 0.9 mm @ 1550 nm |
| बीम अपसरण (पूर्ण-कोण) | < 2 mrad @ 800 nm | < 4 mrad @ 1550 nm |
| दीर्घकालिक शक्ति स्थिरता, 8 h 4) | < 1% @ 800 nm | < 1% @ 1550 nm |
| पल्स-से-पल्स ऊर्जा स्थिरता, 1 min 4) | < 1% @ 800 nm | < 1% @ 1550 nm |
| तरंगदैर्घ्य विस्तार विकल्प; रूपांतरण दक्षता | 210 – 320 nm (THS) 0.2% @ 250 nm | 640 – 1000 nm और 1050 – 1450 nm > 1% @ 700 nm |
| 320 – 500 nm (SHS) और 525 – 640 nm (SHI) 1.2% @ 350 nm | ||
| 2500 – 4500 nm (DFG1) 3% @ 3000 nm | 4500 – 14 000 nm (DFG) 5) 0.2% @ 10 000 nm | |
| 4500 – 14 000 nm (DFG2) 5) 0.1% @ 10 000 nm | ||
| पंप लेज़र आवश्यकताएँ | ||
| विन्यास | PHAROS-UP | PHAROS-UP |
| केंद्र तरंगदैर्घ्य | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm |
| अधिकतम पंप शक्ति | 20 W | 20 W |
| अधिकतम पुनरावृत्ति दर | 1 MHz | 1 MHz |
| पंप पल्स ऊर्जा | 20 – 400 µJ | 20 – 400 µJ |
| पंप पल्स अवधि | 80 – 100 fs | 80 – 100 fs |
| परिवेश और उपयोगिता आवश्यकताएँ | ||
| प्रचालन तापमान 6) | 19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित) | 19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित) |
| सापेक्ष आर्द्रता 6) | 20 – 70% (गैर-संघनन) | 20 – 70% (गैर-संघनन) |
| विद्युत आवश्यकताएँ | 100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz | 100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz |
| रेटेड पावर | 280 W | 280 W |
| शक्ति खपत | स्टैंडबाय: 20 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 200 W | स्टैंडबाय: 20 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 200 W |
- स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ 150 – 250 cm⁻¹ @ 5000 – 12 000 nm है।
- आउटपुट पल्स अवधि चयनित तरंगदैर्घ्य और पंप लेज़र की पल्स अवधि पर निर्भर करती है।
- लेज़र आउटपुट पर मापी गई और अधिकतम पल्स ऊर्जा का उपयोग करने वाली FW 1/e 2।
- सामान्यीकृत मूल-माध्य-वर्ग विचलन (NRMSD) के रूप में व्यक्त।
- पहले से लगी आउटपुट विंडो ट्यूनिंग परास को 12 µm तक सीमित करती है। यह धूल से सुरक्षा और आउटपुट शक्ति निदान के लिए है, पर पूर्ण ट्यूनिंग परास तक पहुँचने हेतु इसे हटाया जा सकता है।
- विनिर्देश ± 1ºC के अधिकतम तापमान परिवर्तन और ± 10% के आर्द्रता परिवर्तन के लिए प्रत्याभूत हैं।