Источники с перестраиваемой длиной волны
ORPHEUS
Оптический параметрический усилитель
Усилитель с накачкой Yb-лазером (OPA) для спектроскопии, микроскопии и исследования материалов. Расширения охватывают диапазон от 190 nm до 16 µm и обеспечивают короткие импульсы с высоким контрастом.
Основные особенности
- Настройка от 190 nm до 16 µm
- Разработан для фемтосекундных Yb-лазеров накачки
- Компьютерное управление без ручной подстройки
- Короткие импульсы с высоким контрастом
- Варианты расширения диапазона длин волн для разных спектральных областей
Технические характеристики
| Модель | ORPHEUS | ORPHEUS | ORPHEUS-F | ORPHEUS-ONE |
|---|---|---|---|---|
| Основной выход | ||||
| Диапазон перестройки 1) | 630 – 1030 nm (сигнальная волна) 1030 – 2600 nm (холостая волна) | 630 – 1030 nm (сигнальная волна) 1030 – 2600 nm (холостая волна) | 650 – 900 nm (сигнальная волна) 1200 – 2500 nm (холостая волна) 2) | 1400 – 2000 nm (сигнальная волна) 2100 – 4200 nm (холостая волна) |
| Мощность накачки | До 80 W | До 80 W | До 80 W | До 80 W |
| Частота повторения импульсов | До 2 MHz | До 2 MHz | До 2 MHz | До 2 MHz |
| Энергия импульса накачки 3) | 8 – 20 µJ | 20 – 400 µJ | 10 – 400 µJ | 12 – 400 µJ |
| Эффективность преобразования | > 4.5% @ максимуме (сигнальная волна) > 2% @ максимуме (холостая волна) | > 9% @ максимуме (сигнальная волна) > 4% @ максимуме (холостая волна) | > 7% @ 700 nm 4) | > 9% при энергии импульса накачки 30 – 40 µJ @1550 nm; > 6% при энергии импульса накачки 12 – 30 µJ @1550 nm |
| Длительность импульса | 120 – 400 fs | 120 – 400 fs | < 55 fs @ 800 – 900 nm 5) < 70 fs @ 650 – 800 nm 5) < 100 fs @ 1200 – 2000 nm 5) | 100 – 300 fs |
| Спектральная ширина | 60 – 220 cm⁻¹ | 60 – 220 cm⁻¹ | 200 – 750 cm⁻¹ @ 650 – 900 nm | 50 – 150 cm⁻¹ @ 1450 – 2000 nm |
| Долговременная стабильность мощности, 8 h 6) | < 2% @ 800 nm | < 2% @ 800 nm | < 2% @ 800 nm | < 2% @ 1550 nm |
| Стабильность энергии от импульса к импульсу, 1 min 6) | < 2% @ 800 nm | < 2% @ 800 nm | < 2% @ 800 nm | < 2% @ 1550 nm |
| Пропускание компрессора | не применимо | не применимо | 65% @ 650 – 900 nm 80% @ 1200 – 2000 nm | не применимо |
| Расширения диапазона длин волн | ||||
| DUV | не применимо | 190 – 215 nm: > 0.3% @ 200 nm 7) | не применимо | не применимо |
| THS | 210 – 315 nm: > 0.4% @ 250 nm 8) | 210 – 315 nm: > 0.8% @ 250 nm 8) | не применимо | не применимо |
| SHS, SHI | 315 – 630 nm: > 1.2% @ 350 nm | 315 – 630 nm: > 2.4% @ 350 nm | 325 – 450 nm: > 1% @ максимуме 600 – 650 nm: 0.5% @ максимуме | не применимо |
| DFG | 2200 – 4200 nm: > 1.5% @ 3000 nm | 2200 – 4200 nm: > 3% @ 3000 nm | не применимо | 4000 – 16 000 nm: > 0.3% @ 10 000 nm при энергии импульса накачки 30 – 2000 µJ; > 0.2% @ 10 000 nm при энергии импульса накачки 12 – 30 µJ |
| 4000 – 16 000 nm: > 0.1% @ 10 000 nm | 4000 – 16 000 nm: > 0.2% @ 10 000 nm | не применимо | ||
| Требования к лазеру накачки | ||||
| Конфигурация | CARBIDE или PHAROS | CARBIDE или PHAROS | CARBIDE или PHAROS | CARBIDE или PHAROS |
| Центральная длина волны | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm | 1030 ± 10 nm |
| Максимальная мощность накачки | 80 W | 80 W | 80 W | 80 W |
| Максимальная частота повторения импульсов | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz | 2 MHz |
| Энергия импульса накачки | 8 – 20 µJ | 20 – 400 µJ | 10 – 400 µJ | 12 – 400 µJ |
| Длительность импульса накачки 9) | 180 – 500 fs | 180 – 500 fs | 180 – 500 fs | 180 – 500 fs |
| Требования к условиям эксплуатации и инженерным коммуникациям | ||||
| Рабочая температура 10) | 19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха) | 19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха) | 19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха) | 19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха) |
| Относительная влажность 10) | 20 – 70% (без конденсации) | 20 – 70% (без конденсации) | 20 – 70% (без конденсации) | 20 – 70% (без конденсации) |
| Требования к электропитанию | 100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz | 100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz | 100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz | 100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz |
| Номинальная мощность | 120 W | 120 W | 120 W | 120 W |
| Потребляемая мощность | Режим ожидания: 10 W, максимум при перестройке длины волны: 100 W | Режим ожидания: 10 W, максимум при перестройке длины волны: 100 W | Режим ожидания: 10 W, максимум при перестройке длины волны: 100 W | Режим ожидания: 10 W, максимум при перестройке длины волны: 100 W |
- Доступна модель с двумя выходами (-TWINS), обеспечивающая оптически синхронизированные одновременные выходные импульсы.
- Опциональный режим длинных импульсов обеспечивает диапазоны 650 – 1010 nm (сигнальная волна) и 1050 – 2500 nm (холостая волна) при длительности < 290 fs.
- Применима энергия импульса накачки до 5 mJ; см. ORPHEUS-HE.
- Значение указано до компрессора импульсов. Пиковая эффективность преобразования сигнальной и холостой волн в сумме составляет 10%.
- После сжатия импульса. Типичная длительность до сжатия: 120 – 250 fs; после сжатия: 25 – 70 fs @ 650 – 920 nm и 40 – 100 fs @ 1200 – 2000 nm.
- Выражено как нормированное среднеквадратическое отклонение (NRMSD).
- Эффективность преобразования DUV указана для мощности накачки до 10 W и частоты до 200 kHz. При большей мощности накачки эффективность преобразования снижается. Максимальная выходная мощность составляет 40 mW при 200 nm.
- Для энергии импульса накачки > 15 µJ.
- FWHM в предположении гауссовой формы импульса.
- Характеристики гарантируются при изменении температуры не более чем на ± 1ºC и влажности не более чем на ± 10%.