तरंगदैर्घ्य-समायोज्य स्रोत

ORPHEUS

ऑप्टिकल पैरामीट्रिक एम्पलीफायर

स्पेक्ट्रोस्कोपी, माइक्रोस्कोपी और पदार्थ-अनुसंधान के लिए Yb-पंपित OPA। विस्तार विकल्प छोटे, उच्च-कॉन्ट्रास्ट पल्सों के साथ 190 nm से 16 µm तक का क्षेत्र समेटते हैं।

तकनीकी विशेषताएँ

190 nm से 16 µm तक समायोज्य
Yb फेमटोसेकंड पंप के लिए निर्मित
पूर्णतः स्वचालित कंप्यूटर नियंत्रण
छोटे, उच्च-कॉन्ट्रास्ट पल्स
स्पेक्ट्रल बैंड के अनुसार तरंगदैर्घ्य विस्तार

इनमें उपयोग

अति तीव्र स्पेक्ट्रोस्कोपी लेज़र स्रोत विकास

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विनिर्देश

मॉडल	ORPHEUS	ORPHEUS	ORPHEUS-F	ORPHEUS-ONE
मुख्य आउटपुट
ट्यूनिंग परास 1)	630 – 1030 nm (सिग्नल) 1030 – 2600 nm (आइडलर)	630 – 1030 nm (सिग्नल) 1030 – 2600 nm (आइडलर)	650 – 900 nm (सिग्नल) 1200 – 2500 nm (आइडलर) 2)	1400 – 2000 nm (सिग्नल) 2100 – 4200 nm (आइडलर)
पंप शक्ति	अधिकतम 80 W	अधिकतम 80 W	अधिकतम 80 W	अधिकतम 80 W
पुनरावृत्ति दर	अधिकतम 2 MHz	अधिकतम 2 MHz	अधिकतम 2 MHz	अधिकतम 2 MHz
पंप पल्स ऊर्जा 3)	8 – 20 µJ	20 – 400 µJ	10 – 400 µJ	12 – 400 µJ
रूपांतरण दक्षता	> 4.5% @ शिखर (सिग्नल) > 2% @ शिखर (आइडलर)	> 9% @ शिखर (सिग्नल) > 4% @ शिखर (आइडलर)	> 7% @ 700 nm 4)	> 9%, 30 – 40 µJ पंप @1550 nm > 6%, 12 – 30 µJ पंप @1550 nm
पल्स अवधि	120 – 400 fs	120 – 400 fs	< 55 fs @ 800 – 900 nm 5) < 70 fs @ 650 – 800 nm 5) < 100 fs @ 1200 – 2000 nm 5)	100 – 300 fs
स्पेक्ट्रल बैंडविड्थ	60 – 220 cm⁻¹	60 – 220 cm⁻¹	200 – 750 cm⁻¹ @ 650 – 900 nm	50 – 150 cm⁻¹ @ 1450 – 2000 nm
दीर्घकालिक शक्ति स्थिरता, 8 h 6)	< 2% @ 800 nm	< 2% @ 800 nm	< 2% @ 800 nm	< 2% @ 1550 nm
पल्स-से-पल्स ऊर्जा स्थिरता, 1 min 6)	< 2% @ 800 nm	< 2% @ 800 nm	< 2% @ 800 nm	< 2% @ 1550 nm
संपीडक संचरण	n/a	n/a	65% @ 650 – 900 nm 80% @ 1200 – 2000 nm	n/a
तरंगदैर्घ्य विस्तार
DUV	n/a	190 – 215 nm: > 0.3% @ 200 nm 7)	n/a	n/a
THS	210 – 315 nm: > 0.4% @ 250 nm 8)	210 – 315 nm: > 0.8% @ 250 nm 8)	n/a	n/a
SHS, SHI	315 – 630 nm: > 1.2% @ 350 nm	315 – 630 nm: > 2.4% @ 350 nm	325 – 450 nm: > 1% @ शिखर 600 – 650 nm: 0.5% @ शिखर	n/a
DFG	2200 – 4200 nm: > 1.5% @ 3000 nm	2200 – 4200 nm: > 3% @ 3000 nm	n/a	4000 – 16 000 nm: > 0.3% @ 10 000 nm, 30 – 2000 µJ पंप > 0.2% @ 10 000 nm, 12 – 30 µJ पंप
4000 – 16 000 nm: > 0.1% @ 10 000 nm	4000 – 16 000 nm: > 0.2% @ 10 000 nm	n/a
पंप लेज़र आवश्यकताएँ
विन्यास	CARBIDE या PHAROS	CARBIDE या PHAROS	CARBIDE या PHAROS	CARBIDE या PHAROS
केंद्र तरंगदैर्घ्य	1030 ± 10 nm	1030 ± 10 nm	1030 ± 10 nm	1030 ± 10 nm
अधिकतम पंप शक्ति	80 W	80 W	80 W	80 W
अधिकतम पुनरावृत्ति दर	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz
पंप पल्स ऊर्जा	8 – 20 µJ	20 – 400 µJ	10 – 400 µJ	12 – 400 µJ
पंप पल्स अवधि 9)	180 – 500 fs	180 – 500 fs	180 – 500 fs	180 – 500 fs
परिवेश और उपयोगिता आवश्यकताएँ
प्रचालन तापमान 10)	19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित)	19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित)	19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित)	19 – 25 ºC (वातानुकूलन अनुशंसित)
सापेक्ष आर्द्रता 10)	20 – 70% (गैर-संघनन)	20 – 70% (गैर-संघनन)	20 – 70% (गैर-संघनन)	20 – 70% (गैर-संघनन)
विद्युत आवश्यकताएँ	100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz	100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz	100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz	100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz
रेटेड पावर	120 W	120 W	120 W	120 W
शक्ति खपत	स्टैंडबाय: 10 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 100 W	स्टैंडबाय: 10 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 100 W	स्टैंडबाय: 10 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 100 W	स्टैंडबाय: 10 W; तरंगदैर्घ्य ट्यूनिंग के दौरान अधिकतम: 100 W