PizeNews

Pize — ИИ-ассистент для программирования в области научных вычислений и статистического анализа.

Pize logoPize.ai
Учётная запись

Источники с перестраиваемой длиной волны

ORPHEUS-HE

Высокоэнергетический оптический параметрический усилитель

Высокоэнергетический ORPHEUS, принимающий импульсы накачки до 5 mJ и настраиваемый от 210 nm до 16 µm для сложных задач спектроскопии и нелинейной оптики.

Основные особенности

  • Энергия импульса накачки до 5 mJ
  • Диапазон 210 nm – 16 µm
  • Разработан для высокоэнергетических Yb-лазеров накачки
  • Настройка под компьютерным управлением
  • Спектроскопия и нелинейная оптика
Скачать техническое описаниеОбсудить продуктовое решение

Технические характеристики

МодельORPHEUS-HEORPHEUS-HE-5mJ 1)ORPHEUS-ONE-HEORPHEUS-ONE-HE-5mJ 1)
Основной выход
Энергия импульса накачки 2)0.4 – 2 mJ2 – 5 mJ0.4 – 2 mJ2 – 5 mJ
Мощность накачкиДо 80 WДо 80 WДо 80 WДо 80 W
Диапазон перестройки630 –1030 nm (сигнальная волна) 1030 – 2600 nm (холостая волна)630 – 1000 nm (сигнальная волна) 1050 – 2600 nm (холостая волна)1400 – 2000 nm (сигнальная волна) 2100 – 4200 nm (холостая волна)1400 – 2000 nm (сигнальная волна) 2100 – 4500 nm (холостая волна)
Эффективность преобразования> 8% @ 700 nm> 8% @ 700 nm> 9% @ 1550 nm> 9% @ 1550 nm
Спектральная ширина60 – 220 cm⁻¹ @ 700 – 960 nm60 – 220 cm⁻¹ @ 700 – 960 nm50 – 150 cm⁻¹ @ 1450 – 2000 nm50 – 150 cm⁻¹ @ 1450 – 2000 nm
Длительность импульса120 – 400 fs120 – 400 fs100 – 400 fs100 – 400 fs
Долговременная стабильность мощности, 8 h 3)< 2% @ 800 nm< 1% @ 800 nm< 2% @ 1550 nm< 1% @ 1550 nm
Стабильность энергии от импульса к импульсу, 1 min 3)< 2% @ 800 nm< 1% @ 800 nm< 2% @ 1550 nm< 1% @ 1550 nm
Расширения диапазона длин волн
THS210 – 315 nm: > 0.8% @ 250 nm 4)210 – 320 nm: > 0.4% @ 250 nm 4)не применимоне применимо
SHS, SHI315 – 630 nm: > 2.4% @ 350 nm320 – 500 nm, 525 – 640 nm: > 2.4% @ 350 nm
DFG2200 – 4200 nm (DFG1): > 3% @ 3000 nm2500 – 4200 nm (DFG1): > 3% @ 3000 nm4000 – 16 000 nm: > 0.3 % @ 10 000 nm4000 – 16 000 nm: > 0.3 % @ 10 000 nm
4000 – 16 000 nm (DFG2): > 0.2% @ 10 000 nm4000 – 16 000 nm (DFG2): > 0.2% @ 10 000 nm
Требования к лазеру накачки
КонфигурацияCARBIDE или PHAROSPHAROS-PH2-5mJCARBIDE или PHAROSPHAROS-PH2-5mJ
Центральная длина волны1030 ± 10 nm1030 ± 10 nm1030 ± 10 nm1030 ± 10 nm
Максимальная мощность накачки80 W80 W80 W80 W
Максимальная частота повторения импульсов200 kHz10 kHz200 kHz10 kHz
Энергия импульса накачки 2)0.4 – 2 mJ2 – 5 mJ0.4 – 2 mJ2 – 5 mJ
Длительность импульса накачки 5) 6)180 – 500 fs180 – 500 fs180 – 500 fs180 – 500 fs
Требования к условиям эксплуатации и инженерным коммуникациям
Рабочая температура 7)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)19 – 25 ºC (рекомендуется кондиционирование воздуха)
Относительная влажность 7)20 – 70% (без конденсации)20 – 70% (без конденсации)20 – 70% (без конденсации)20 – 70% (без конденсации)
Требования к электропитанию100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz100 – 240 V AC, 1.4 A; 50 – 60 Hz100 – 240 V AC, 4.5 A; 50 – 60 Hz
Номинальная мощность120 W280 W120 W280 W
Потребляемая мощностьРежим ожидания: 10 W, максимум при перестройке длины волны: 100 WРежим ожидания: 20 W, максимум при перестройке длины волны: 200 WРежим ожидания: 10 W, максимум при перестройке длины волны: 100 WРежим ожидания: 20 W, максимум при перестройке длины волны: 200 W
  1. Применимо только для PHAROS-PH2-5mJ.
  2. Для меньшей энергии импульса накачки см. платформы I-OPA, ORPHEUS или ORPHEUS-NEO.
  3. Выражено как нормированное среднеквадратическое отклонение (NRMSD).
  4. Максимальная выходная мощность 400 mW.
  5. FWHM в предположении гауссовой формы импульса.
  6. Для более короткого импульса накачки (PHAROS-UP, 100 fs) — по запросу.
  7. Характеристики гарантируются при изменении температуры не более чем на ± 1ºC и влажности не более чем на ± 10%.